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元件参数资料
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参数目录47222
> FEPB6DT-E3/81 DIODE 6A 200V 35NS DUAL TO263AB
型号:
FEPB6DT-E3/81
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay General Semiconductor
描述:
DIODE 6A 200V 35NS DUAL TO263AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 二极管,整流器 - 阵列
FEPB6DT-E3/81 PDF
标准包装
800
系列
-
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
975mV @ 3A
电流 - 在 Vr 时反向漏电
5µA @ 200V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)
6A
电压 - (Vr)(最大)
200V
反向恢复时间(trr)
35ns
二极管类型
标准
速度
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置
1 对共阴极
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-263AB
包装
带卷 (TR)
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